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BSC027N06LS5ATMA1

功能描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 49μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：30nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4400pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：5,000

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